Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer en ny 100V N-kanal power-MOSFET baseret på Toshibas nyeste generation af U-MOSX-H processen. Den nye komponent er velegnet til udfordrende applikationer som switchede strømforsyninger til datacentre, basestationer i kommunikationsudstyr samt i industrielt udstyr.
Den nye TPH3R10AQM er designet til meget effektiv drift med specifikationer helt ned til blot 3,1mΩ (max.) for den meget vigtige drain-source on-modstand (RDS(ON)). Det er en betydelig forbedring på 16% i forhold til Toshibas hidtidoge 100V produkt (TPH3R70APL), som anvender den foregående generation af procesteknologi.
Den højtydende komponent tåler nominelt en drain-source spænding (VDSS) på 100V og en drain-strøm (ID) på op til 120A. Den lave gate switch-ladning (QSW) øger effektiviteten i højfrekvente applikationer, og en forhøjet maksimal kanaltemperaturtolerance (Tch) på 175°C reducerer behovet for termisk management, så størrelse og pris af det endelige system bliver mindst muligt.
Den nye MOSFET har et udvidet safe operating area (SOA) med 76% sammenlignet med den tidligere generation, hvilket gør komponenten velegnet til lineært styrede formål. Forbedringen øger i høj grad anvendeligheden for – og ydelsen i – hotswap-kredsløb. Desuden er gate-tærskelspændingen mellem 2,5V og 3,5V, så komponenten er ikke tilbøjelig til at udføre spurious triggering.
Produktet bruger footprint-kompatible SOP Advance(N) huse, hvorved TPH3R10AQM kun optager 4,9mm x 6,1mm på printet.
For yderligere information om TPH3R10AQM, se venligst: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH3R10AQM.html
