Cypress Semiconductor Corp. sampler nu en ny 4Mb asynkron SRAM (Statisk Random Access Memory) med indbygget ECC (Error-Correcting Code). Denne type komponent giver den højest mulige datapålidelighed uden behov for eksterne fejlretnings-chips, hvilket letter designet og reducerer pladsbehovet på printet. De typiske applikationer ligger inden for industrielle-, forsvars-, kommunikations-, medico-, databehandlings- og Automotive applikationer.
Soft-errors, som skyldes baggrundsstrålingen kan ødelægge memory-indhold, så man mister kritiske data. Med en hardware- ECC-blok, som i Cypresss nye asynkrone SRAM-familie udføres alle fejlretningsfunktioner in-line uden indgreb fra brugeren, hvad der giver den bedst mulige SER-ydelse (Soft Error Rate) på mindre end 0,1 FIT/Mb (en FIT svarer til én fejl pr. milliard timers brug af komponenten). De nye komponenter er pin-kompatible med nuværende asynkrone, hurtige, low-power SRAM’er, så designere kan booste deres systempåligelihed uden at ændre deres kredsløbs-layout. De 4Mb store SRAM’er inkluderer også et valgfrit fejlindikationssignal, som fortæller om rettelse af single-bit fejl.
Cypress’ 4Mb asynkrone SRAM’er leveres i tre versioner; Fast, MoBL og Fast med PowerSnooze – en ekstra effektbesparende deep-sleep tilstand med en maksimal 15 uA deep-sleep tilstand til 4Mb SRAM. Hver option leveres som standard i x8- og x16-konfigurationer og kan bruges ved multiple spændinger (1,8V, 3V og 5V) til enten -40°C til +85°C eller -40°C til +125°C temperaturområderne.
Cypress’ 4Mb asynkrone SRAM’er leveres i tre versioner; Fast, MoBL og Fast med PowerSnooze – en ekstra effektbesparende deep-sleep tilstand med en maksimal 15 uA deep-sleep tilstand til 4Mb SRAM. Hver option leveres som standard i x8- og x16-konfigurationer og kan bruges ved multiple spændinger (1,8V, 3V og 5V) til enten -40°C til +85°C eller -40°C til +125°C temperaturområderne.
Cypress
