Erstat silicium IGBT’er med markedets mest robuste karbid power enheder, der nu fås i 1700V

Erstat silicium IGBT’er med markedets mest robuste karbid power enheder, der nu fås i 1700V

Silicium karbid portefølje med 1700V MOSFET die, diskrete og effekt moduler forøger udvikleres mulighed for effektivitet og effektdensitet

CHANDLER, Arizona, 27. juli 2021 – De nyeste energieffektive lade systemer der driver kommercielle biler, samt tilhørende effektsystemer, solcelleomformere, solid-state transformere og andre transport og industrielle applikationer, er alle afhængige af højspændings omformer enheder. For at tilgodese disse krav annoncerede Microchip Technology Inc. (Nasdaq: MCHP) i dag udvidelsen af deres silicium karbid portefølje med en familie af højeffektive og højpålidelige 1700V silicium karbid MOSFET die, diskrete effekt moduler.

Microchips 1700V silicium karbid teknologi er et alternativ til silicium IGBT’er. Den tidligere teknologi krævede at udviklere skulle gå på kompromis med ydelsen og anvende komplicerede topologier pga. begrænsninger på switch frekvensen i unøjagtige silicium IGBT’er. Herudover gør de påkrævede transformere elektronikken større og tungere, hvilket kun kan modvirkes ved at forøge switch frekvensen.

Den nye silicium karbid produktfamilie giver ingeniører mulighed for at droppe IGBT’er og i stedet anvende to-niveau topologier med færre komponenter, større effektivitet og enklere styring. Uden switch begrænsninger kan power konverterings enheder gøres betragteligt mindre og lettere, så der gives plads til flere ladestationer, yderligere plads til betalende passagerer og last, eller større rækkevidde og driftstid for tunge køretøjer, elektriske busser og andre batteridrevne kommercielle køretøjer – så den samlede systemomkostning reduceres.

“Systemudviklere indenfor transport segmentet bliver konstant bedt om at gøre plads til flere passagerer og mere gods i køretøjer der ikke kan gøres større,” sagde Leon Gross, vice president for Microchips forretningsenhed for diskrete produkter. “En af de bedste måder at opnå dette, er vha. de enorme plads og vægtbesparelser i power konverterings udstyr der anvender højspændings silicium karbid power enheder. De samme fordele kan udnyttes af mange andre industrielle applikationer.”

Funktioner inkluderer gate oxid stabilitet hvor Microchip ikke observerede noget skred i grænsespændinger, selv efter 100.000 pulse i R-UIS (repetitive unclamped inductive switching) test. R-UIS test viser også fremragende robusthed og parametrisk stabilitet og med gate oxid stabilitet er der demonstreret pålidelig drift i hele systemets levetid.

Den degraderingsfri body diode kan eliminere behovet for ekstern diode med silicium karbid MOSFET. Evne til at modstå kortslutning i forhold til IGBT’er forbedrer håndteringen af skadelige elektriske transienter. En fladere RDS(on) kurve over forbindelsestemperatur fra 0 til 175 grader Celsius (C) gør det muligt for effektsystemet at opnå større pålidelighed end andre silicium karbid MOSFETs der er mere følsomme overfor temperatur.

Microchip streamliner ibrugtagningen af deres teknologi med en familie af AgileSwitch® digital programmerbare gate drivere og en bred vifte af diskrete og power modul pakninger i standard og tilpassede formats. Disse gate drivere gør det hurtigere at udvikle med silicium karbid fra benchtop til produktion.

Andre Microchip silicium karbid produkter inkluderer familier af MOSFET og Schottky Barrier dioder ved 700V og 1200V, som fås i upakket silicium samt forskellige diskrete og power modul pakninger. Microchip forener in-house silicium karbid die produktion med lav induktions power pakning og digitale programmerbare gate drivere så udviklere kan skabe de mest effektive, kompakte og pålidelige slutprodukter.

Firmaets totale systemløsninger inkluderer også en portefølje af mikrokontrollere (MCU’er), analoge og funktionsenheder samt kommunikations, trådløs og sikkerheds teknologi.

Udviklingsværktøjer

Silicium karbid SPICE simulerings modeller der er kompatible med Microchips MPLAB® Mindi analoge simulator, giver systemudviklere mulighed for at simulere switch karakteristikker før de omdannes til hardware design. Intelligent Configuration Tool (ICT) giver udviklere mulighed for at modellere effektive silicium karbid gate driver indstillinger til Microchips AgileSwitch® familie af digitalt programmerbare gate drivere.

Tilgængelighed

Microchips 1700V silicium karbid MOSFET, diskrete og power moduler kan bestilles i flere forskellige pakninger.

Information og priser fås ved at kontakte en af Microchips salgsrepræsentanter, autoriserede globale distributører eller ved at besøge firmaets hjemmeside. Kontakt en af Microchips autoriserede distributører for at købe de nævnte produkter.

Ressourcer

Billeder i høj opløsning er tilgængelige gennem Flickr eller ved redaktionel kontakt (må offentliggøres):

About Microchip Technology

Microchip Technology Inc. is a leading provider of smart, connected and secure embedded control solutions. Its easy-to-use development tools and comprehensive product portfolio enable customers to create optimal designs which reduce risk while lowering total system cost and time to market. The company’s solutions serve more than 120,000 customers across the industrial, automotive, consumer, aerospace and defense, communications and computing markets. Headquartered in Chandler, Arizona, Microchip offers outstanding technical support along with dependable delivery and quality. For more information, visit the Microchip website at http://www.microchip.com.

Erstat silicium IGBT'er med markedets mest robuste karbid power enheder, der nu fås i 1700V
Erstat silicium IGBT’er med markedets mest robuste karbid power enheder, der nu fås i 1700V