Microchip annoncerer produktionsfrigivelse af Silicon Carbide (SiC) produkter til pålidelig effektelektronik med høj spænding
April 2019
MC1457dk
Microchip annoncerer produktionsfrigivelse af Silicon Carbide (SiC)
produkter til pålidelig effektelektronik med høj spænding
Nøglepunkter:
- 700V MOSFET samt 700V og 1200V Schottky Barrier Dioder udvider kunders muligheder
- Understøtter det stigende behov for SiC teknologiens effektivitet og effektdensitet
- Effektiv switching ved højere frekvenser og langtids pålidelighed
- 20 procent forbedring i forhold til andre SiC dioder i UIS robusthedstest
Microchip annoncerer, igennem deres Microsemi datterselskab, produktionsfrigivelsen af en familie af SiC effektkomponenter der tilbyder dokumenteret robusthed og ydelsesfordelene ved bredt båndgab teknologi. Komplementeret af Microchips brede portefølje af mikrokontrollere (MCU’er) og analoge løsninger, tilslutter SiC komponenterne sig en voksende familie af pålidelige SiC produkter. Disse produkter opfylder behovet for forbedret systemeffektivitet, robusthed og effektdensitet i elektriske biler (EV’er) og andre højeffekts applikationer indenfor industrien, luftfart og militær.
Microchips 700V SiC MOSFET’er samt 700V og 1200V SiC Schottky Barrier Dioder (SBD’er) tilslutter sig den eksisterende portefølje af SiC effektmoduler. De mere end 35 diskrete produkter der er blevet tilføjet Microchips portefølje fås i produktionsvolumen, understøttes af omfattende udviklingsservices, værktøjer samt reference designs og tilbyder fremragende robusthed dokumenteret af grundige test. Den brede familie af SiC kredse, diskrete enheder og effektmoduler tilbydes i forskellige spændinger, strømniveauer og pakningstyper.
Microchips SiC MOSFET’er og SBD’er tilbyder mere effektiv switching ved højere frekvenser og består robusthedstest på niveauer der anses som kritiske for at kunne garantere langtids pålidelighed. Firmaets SiC SBD’er yder omkring 20 procent bedre end andre SiC dioder i disse Unclamped Inductive Switching (UIS) robusthedstest, der måler hvor godt komponenter modstår degradering eller tidlig fejl under lavine betingelser, der opstår når en spændings spike overstiger komponentens nedbrydningsspænding. Microchips SiC MOSFET’er udkonkurrerer alternativer i disse robusthedstest, demonstrerer fremragende gateoxidafskærmning og kanalintegritet med begrænset levetidsdegradering i parametre, selv efter 100.000 cyklusser af Repetitive UIS (RUIS) test.
Microchip er en af de få leverandører der leverer en serie af både silicium og SiC diskrete og modul løsninger. Firmaets produkter er ideelle til det voksende antal EV systemer, såsom eksterne lade stationer, interne opladere, DC-DC konvertere og drivaggregats/trækkraftsstyrings løsninger. De nye SiC komponenter understøttes af Microchips kundedrevne forældelsespraksis, der sikrer at der produceres komponenter lige så længe som kunderne har brug for dem.
Den udvidede SiC portefølje understøttes af en serie af SiC SPICE modeller, SiC driver kort reference designs, samt et Power Factor Correction (PFC) Vienna reference design. Alle firmaets SiC produkter fås i produktionsvolumen sammen med deres tilknyttede supporttilbud. SiC MOSFET’er og SiC dioderne fås i flere forskellige chip og pakninger.
Besøg: http://www.microsemi.com/sic for mere information.
****Slut****
Understøttende billeder leveres
For yderligere information, kontakt da venligst:
Microchip Nordic Tel: + 45 44 50 28 28
Fax: + 45 44 85 28 29
Avnet Silica Tel: + 45 43 22 80 10
Fax: + 45 43 22 80 11
EBV Elektronik Tel: + 45 86 25 04 66
Fax: + 45 86 25 06 60
Farnell In One Tel: + 44 11 32 790 101
Fax: + 44 11 32 633 404
Future Electronics Tel: + 45 76 40 87 64
Fax: + 45 76 40 87 65
Microchip Technology Tel: + 44 118 921 5849
David Wright Fax: + 44 118 921 5835
Napier Partnership
Suzy Kenyon Tel: +44 1243 531123
MC1457dk
Bemærk: Microchip navn og logo, Microchip logoet samt Microsemi er registrerede varemærker for Microchip Technology Incorporated i USA og andre lande. Alle andre heri nævnte varemærker er deres respektive selskabers ejendom.
