På dette års IEDM (International Electronic Devices Meeting) konference i San francisco 7.-11. december vil franske CEA-Leti blandt andet præsentere følgende tre R&D gennembrud:
– Ferro-baseret hukommelsesskalering integreret i BEOL (back-end-of-line) for 22 nm FDSOI teknologien.
– En integreret fasemodulator og sensor (IPMS), som tilbyder forbedret skalering, kompakthed og indbygget optisk tilpasning for DOPC (digital optical phase conjugation) applikationer.
– Den første anvendelse af forward-forward algoritmen til resistiv hukommelse.
På en Leti Devices Workshop den 8. december vil forskningsinstituttet sammen med sine akademiske og industrielle partnere præsentere banebrydende resultater inden for low-power komponenter, kvantumteknologier, RF enheder, heterogen integration, nye hukommelser og nye computerparadigmer, sagde CEA-Leti’s videnskabelige direktør, Thomas Ernst.
Jørgen Sarlvit-Larsen
