Hvis man skal sige noget med sikkerhed om fremtiden for effekthalvledere i forbindelse med PCIM-messen, som bliver afholdt i Nürnberg i disse dage, så er det, at intet er sikkert. Der eksisterer i øjeblikket to primære retninger for udviklingen mod “tabsfri” effekthalvledere – og dermed generationen efter almindelige siliciumbaserede MOSFETs. Det er henholdsvis GaN og SiC – galliumnitrid og siliciumcarbid. Begge metoder har vist nogle særdeles overbevisende resultater – med en lille overvægt mod GaN.
Tag nu eksempelvis Rohm, og denne japanske producents fremstilling af power-komponenter: Rohm fortæller i forbindelse med PCIM-messen, at de har allieret sig med GaN Systems, der er førende inden for GaN power, i den fortsatte udvikling af GaN-effekthalvledere. Samarbejdet skal parre GaN Systems førende teknologier med Rohms footprint inden for halvledere samt sidstnævnte omfattende R&D-ressourcer. Det skal føre til formfaktor- og funktionskompatible produkter baseret på GaN-dies, GaNPX-kapslinger og Rohms traditionelle huse. Det skal give de to virksomheders kunder en mulighed for at vælge second source løsninger med det største udbud af dual-source GaN-løsninger. Godt for GaN-teknologiens gennembrud.
Men samtidigt annoncerer Rohm, at de bygger en ny Apollo-fabrik i Chikugo, Japan, hvilket skal udvide virksomhedens kapacitet inden for den konkurrerende SiC-teknologi. Den 11.000 kvm. store fabrik skal stå færdig i 2020, og den skal give Rohm en dominerende andel af det spirende SiC-marked for effekthalvledere. Industrieksperter vurderer, at SiC-markedet i 2021 vil runde en milliard USD med batteriladere, effektkonvertere, men også el-biler, som de førende applikationer inden for den nye halvlederteknologi. Rohm spiller tydeligvis på begge heste, men det er i alle tilfælde godt nyt for power-branchen, som vil få adgang til to ret fantastiske teknologier.
Fælles for GaN- og SiC er, at on- og switch-tab kan gøres betydeligt lavere end for konventionelle silicium-/CMOS-teknologier. Kombineret med højere switch-frekvenser kan det føre til fysisk mindre produkter med betydeligt lavere tab end med de foregående generationer af effekthalvledere.
