Infineon Technologies AG annoncerer, at virksomheden har haft succes med at udvikle verdens første 300 mm power galliumnitrid (GaN) waferteknologi. Infineon er den første virksomhed i verden, der mestrer denne banebrydende teknologi i et eksisterende og skalerbart højvolumenproduktionsmiljø. Gennembruddet vil bidrage væsentligt til at drive markedet for GaN-baserede effekthalvledere. Chipproduktion på 300mm wafers er teknologisk mere avanceret og væsentligt mere effektiv sammenlignet med 200mm wafers, da den større waferdiameter passer til 2,3 gange så mange chips pr. wafer.
GaN-baserede strømhalvledere finder hurtigt anvendelse i industri-, bil- og forbruger-, computer- og kommunikationsapplikationer, herunder strømforsyninger til AI-systemer, solcelle-invertere, opladere og adaptere og motorstyringssystemer. State-of-the-art GaN-fremstillingsprocesser fører til forbedret enhedsydelse, hvilket resulterer i fordele i slutkunders applikationer, da det muliggør effektivitetsydelse, mindre størrelse, lettere vægt og lavere samlede omkostninger. Ydermere sikrer 300mm fremstilling overlegen kundeforsyningsstabilitet gennem skalerbarhed.
Infineon har haft succes med at fremstille 300mm GaN wafers på en integreret pilotlinje i sin eksisterende 300mm siliciumproduktion i fab i Villach (Østrig). Virksomheden udnytter veletableret kompetence i den eksisterende produktion af 300mm silicium og 200mm GaN. Infineon vil yderligere skalere GaN-kapaciteten i overensstemmelse med markedets behov. 300mm GaN-fremstilling vil sætte Infineon i en position til at forme det voksende GaN-marked, som anslås at nå op på adskillige milliarder amerikanske dollars ved udgangen af årtiet.
Denne banebrydende teknologiske succes understreger Infineons position som en global halvlederleder inden for strømsystemer og IoT. Infineon implementerer 300mm GaN for at styrke eksisterende og muliggør nye løsninger og anvendelsesområder med et stadig mere omkostningseffektivt værditilbud og evnen til at adressere hele spektret af kundesystemer. Infineon vil præsentere de første 300mm GaN-wafere for offentligheden på electronica-messen i november 2024 i München.
En væsentlig fordel ved 300mm GaN-teknologi er, at den kan udnytte eksisterende 300mm siliciumfremstillingsudstyr, da galliumnitrid og silicium er meget ens i fremstillingsprocesser. Infineons eksisterende højvolumen silicium 300mm produktionslinjer er ideelle til at styre pålidelig GaN-teknologi, hvilket muliggør accelereret implementering og effektiv brug af kapital. Fuldt skaleret 300mm GaN-produktion vil bidrage til GaN-omkostningsparitet med silicium på R DS(on)-niveau, hvilket betyder omkostningsparitet for sammenlignelige Si- og GaN-produkter.
300mm GaN er endnu en milepæl i Infineons strategiske innovationslederskab og understøtter Infineons mission om dekarbonisering og digitalisering.
