Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancerer et højvolt fotorelæ med transistor-output til automotive 400V batterirelaterede kontrolsystemer. Med en kapsling i et kompakt SO12L-T hus giver TLX9150M som minimum en brydespænding på (VOFF) på 900V med en maksimal reaktionstid (TON/TOFF) på 1ms. Det er kritisk i styringsfølsomme applikationer som batteri- og brændselscellestyring og batteri-management systemer (BMS) til monitering af spændinger og til detektering af hængende mekaniske relæer samt jordfejl.
TLX9150M består af en infrarød (IR) emitterdiode optisk koblet til en foto-MOSFET, der giver elektrisk isolation mellem den primære (kontrol) side og den sekundære (switch) side, så man får sikker switch-styring over varierende jordpotentialer. Trigger-strømmen (IFT) er beskedne 3mA, hvilket minimerer systemenergiforbruget. Desuden er komponentens strømtræk i off-tilstand (IOFF) på kun 100nA (max) ved faktiske omgivelsestemperaturer, så forbruget i inaktiv tilstand er minimalt. IR LED’en har en forwardstrøm (IF) på 30mA, mens fotodetektionskomponenten trækker en strøm i on-tilstand (ION) på 50mA ved omgivelsestemperaturen.
Desuden er TLX9150M kapslet i det nye SO12L-T hus med en pladsbesparende formfaktor på 7,76mm × 10mm × 2,45mm, hvilket er 25% mindre end for Toshibas eksisterende kapsling, SO16L-T. Det hjælper til at gøre en batterienhed mindre og giver lavere omkostninger. Pin-pitch og pin-layout for de to hustyper er de samme, så man kan genanvende sit kredsløbsdesign på printet. Den nye normally-open (1-Form-A) komponent har en 8mm (min) krybestrømsafstand og 0,4mm (min) isolationstykkelse, hvilket giver en effektiv isolation, selv i et udvidet driftstemperaturområde mellem -40°C til +125°C, ligesom det nye fotorelæ er fuldt kompatibelt med AEC-Q101 og IEC 60664-1 standarderne.
For mere information om TLX9150M fotorelæet, se venligst: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/isolators-solid-state-relays/photorelay-mosfet-output/detail.TLX9150M.html
